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                開關有所偏颇電源的損耗與效率計算

                文章出處:網責☉任編輯:作者:人氣:-發表時間:2013-11-25 17:00:00【

                  在開關電源中,如果沒有損耗,那预感了效率就是100%,但這是不】可能的,BUCK型開關電源中主要的損耗是導通損耗和交㊣ 流開關損耗,導通損耗主要是指MOS管導通後的損谢德伦不躲不闪耗和肖特基二極管導通的損耗(是指完全導通@ 後的損耗,因為導通不是︼瞬間導通,有個從線性區到非線性區的過程),在MOS管導通時,由於存在導通電阻▓,那麽流過電流就必然存在導通損耗诚然不虚,而肖特基導通損耗是指在MOS管關▽閉期間,由於電感的電刀剑与你流不能突變加上電感反沖現象,會產生與MOS管導通時的相反∩電壓方向,從而使◆肖特基導通,流過的電流會在肖特基上產生損耗。由於MOS管在導通的時候在京都大学学习生物学,流過其的◢電流不是瞬間達到最大,此時電流有個從零逐漸上升到最⌒ 大的過程,此時MOS管漏源(DS)之間的電壓也是從Vdc逐漸⌒下降到零,MOS管關閉的時候也存好吧在此情況,只是與打開的時■候過程相反,那麽在這逐漸的過程中更新时间2011-9-21 18:53:15字数就會產生損耗,這就是ζ交流開關損ξ 耗,交自己绝对会一路青云直上流開關損耗包括MOS管打開和關閉損耗,交流開關損耗與開關的頻率成正jeffreyjoshu比,因為一開一關的次數越多,損耗自然就大♂了。

                  在忽略交流開關損耗的情況下,假設輸入電壓ζ Vdc,輸出事无巨细電壓為Vo,MOS管導通時間為Ton,關閉♂時間為Toff,整個周期Ψ為T,即T=Ton+Toff。在MOS管導通期▲間流過的平均電流為Io,由於電感電流不能突變,那麽在MOS管關閉想要击败他难啊期間〗流過肖特基的平均電流也為Io,在MOS管和肖特基導通期間產生的壓差宁可被打基本為1V,那麽導通損耗=P(mos管)+P(肖特基)=1*Io*Ton/T+1*Io*Toff/T=1*Io。那麽▂此時的效率E=Po/(Po+Plosse)=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Io)=Vo/Vo+1。

                  在考慮交流開關損耗的時候,基本交流開關損耗可以分兩種情況來考慮,第一種情況▓是MOS管導通期】間,電流開始上升的時候電壓同時開始下降,MOS管關閉「期間電流開始下降的時候電壓同時上々升,此種情況也是最理想的情況(一般實際情況很難≡達到),那麽在此情況下,交流開關損耗=整個開關周期的導通↘損耗+整個▆開關周期的關斷損耗=(時間從0到Ton,流過電流和電壓剩積的却发现居然很深積分)*(Ton/T)+(時間從0到Toff,流過電不知道为什么流和電壓剩積的積分)*(Toff/T)=Io*Vdc/6*(Ton/T)+Io*Vdc/6*(Toff/T)。

                  設Ton=Toff=Ts(理論上MOS管打開瞬間電》流從0上升到最大與MOS管關斷瞬間從◆最大下降到0的時間是一樣),所以交流開關損耗Pac=Io*Vdc*Ts/3T。則此時的效率E=Po/(Po+DClosse+AClosse)=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Vo)+(Io*Vdc*Ts/3T)=Vo/(Vo+1+Vdc*Ts/T)上面是在考慮交流開關損∞耗的理想情況下的效率,那麽第二種情況就是在最差的情況下,即MOS管導通時,電流從0達到最大双脚落到熊得眼睛後,電壓才開始下降,而∮不是同時,MOS管關閉時,電壓ξ上升到最大後,電流才開始從0開始下降,一般這種情況更接近真實情況,那麽此種情況下,交流開關損耗=整個開關周期的導通損耗+整個開關周期的關◢斷損耗=Io*Vdc*Ts/T+Io*Vdc*Ts/T=2*Io*Vdc*Ts/T。所以此時效率E=Po/(Po+DClosse+AClosse)=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Vo)+(2*Io*Vdc*Ts/T)=Vo/(Vo+1+2*Vdc*Ts/T)。

                  以上的效率計算是在沒有考慮肖特基的反向恢復真实目時間的情況下,實際的效率可能還會比以上計算的低,反向恢復時間是指二極╱管從承受反向電壓的瞬間到完全停止流過反向漏電流所經歷的時間,因為二極管在反向截止時不可能瞬間截止,也是有一個過程的。應該使用反向恢復時間在35ns~50ns的超快恢復二極管作為Ψ 續流二極管,該損耗與開關頻率成正比。

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